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PRODUCTGAONST Product Introduction
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웨이퍼 그라인딩 Ø4" SiC Wafer Process
1. Grinding Process
⑴ 사용장치
고정도 종형평면연삭장치
SGM-8200
⑵ 사용지석
#2000
#30000
다이아몬드지석
⑶웨이퍼 고정방식
· SiC Ø4˝ x 1장
·흡착 척 Ø200
왁스 웨이퍼 고정에 비해 간단하다.
흡착 시 니크가 발생하지 않는 뒷면의 평탄도가 전재되어야 한다.
⑷ 가공 프로세스 제안 ※ 단면 가공시
① #2000
가공시간 : 약 30분
가공량 : 45㎛
② #30000
가공시간 : 약 10분 최종면조도
가공량 : 5㎛ =====> Ra1nm ~ 2nm
☆ 장시간 랩핑가공 불요 =====> CMP공정 부담저감
※ 웨이퍼 최초두께 400㎛ → 가공 후 두께 300㎛
※ 상기는 제안이며, 최종 사양에 대해서는 고객사와 협의 후 결정
⑸ 가공 프로세스 순서 제안
① #2000 (Si면)
↓
② #2000 (C면)
↓ =====> 웨이퍼 Warping 저감을 위해
③ #30000 (C면) 양면의 조도를 같게하는 방식이 좋다
↓
④ #30000 (Si면)
4면 가공시간 합계 : 약 80분
※ 가공조건에 따라 가공시간은 짧아질 수도, 길어질 수도 있습니다.
2. 폴리싱 프로세스
⑴ 사용장치 - 고속평면연마장치 (STC - 610)
⑵ 사용슬러리 - Mn계 연마제
⑶ 사용 패드 - 경질 우레탄 패드
⑷ 웨이퍼 고정방법
· SiC Ø4˝ x 1장
· 세라믹 지지기판 Ø200
※ 평탄도롤 요하는 폴리싱의 경우 왁스 고정을 추천
⑸ Polish 이미지
※ 평탄도를 요하는 폴리싱의 경우 왁스 고정을 추천
⑹ 가공 프로세스 제안
※ 단면 가공 시 양축사용 가능
① Si면 Polish
가공시간 : 약 30분 최종 면조도
연마량 : 1㎛ =====> Ra 0.15nm
② C면 Polish
가공시간 : 약 30분
가공량 : 1㎛
2면 가공시간 합계 : 약 60분
양축사용으로 1시간에 2장 가공가능
⑺ Polishing 후 면 상태 사례
