1. 제품 설명

반도체 디바이스의 고집적화가 빠르게 진화하고 있다.

디바이스 표면에는 배선층(메탈막), 베리어막(Burrier Membrane), 절연막(산화막), 폴리실리콘 등이 다층막으로 형성되어 있다.
스퍼터의 집점심도의 고성능화에 따라 다층막의 평탄화 기술은 중요한 프로세스로 되었다.
본 장치는 각종 디바이스의 고정도 평탄화 가공만이 아닌, CMP기술인 패드 및 슬러리 평가용으로도 최적화 되어있다.
CMP가공 시에 In-Situ 패드 컨디셔닝을 가능하게 하였으며, Ø4” ~ Ø8” 웨이퍼 대응이 가능한 2개의 폴리싱 헤드를 가지고 있다.

LGP-612는 고정도 기술 개발을 지원하는 CMP 머신이다.





2. 특징

A. 고정도 / 고강성 스핀들
CMP가공에서 가장 중요시하는 폴리싱 플레이트 면의 흔들림과 편하중을 견딜 수 있도록 설계한 강성이 높은 스핀들을 적용하여 고정도 연마를 실현하였다.

B. 폴리싱 플레이트
폴리싱 플레이트에는 초평탄 알루미나 세라믹을 적용하여 가공 중 열수축에 의한 변형 및 불량을 최소화 하였다. 원터치로 떼어낼 수 있으며, 예비 플레이트가 있을 경우 소모품 비용을 절약할 수 있다. 폴리싱 헤드는 2축이며, 2축 모두를 사용하여 2장 동시 가공 또는 한 축에는 가공물을 또 다른 축에는 드레서를 장착하여 인라인 드레싱 가공 선택을 가능하게 하였다. 또한 폴리싱 헤드의 구조는 에어백 및 액체를 투입한 당사 독자 기술의 헤드 방식의 선택도 가능하다.

C. 폴리싱 헤드
대응 웨이퍼의 크기는 Ø 4”, Ø 6”, Ø 8” 이다. 폴리싱 헤드는 원터치로 교환 가능한 구조로 되어있다. 저마찰 실린더를 적용하여 가압 추종성을 높였다.

D. 오실레이션 기구
고정도, 고강성 LM가이드를 적용하여 가공 중 발생할 수 있는 진동을 최소화하였다.

E. 양축(헤드) 개별 강제구동 기구
양축(헤드)에 대하여 “가압력”, “회전수”를 개별 입력이 가능토록 하여 각각의 축(헤드)에 강제 구동기구를 적용하였다.

F. 가공 레시피
다단계 스텝을 적용할 수 있도록 하여 복잡한 연마 레시피에도 대응 가능하다.


3. 적용