Main Features |
강력한 접착력으로 물에 의한 손상 방지 |
접착제 잔여물이 없어 피착물을 깨끗하게 유지 |
특히, 연삭에 도움이 되도록 평평함 |
고르지 않는 표면 (범프 웨이퍼) 사용 가능 |
Other properties |
초박형 연삭용으로 변형 감소 |
연삭 / 연마 시 내열성 |
필름을 열로부터 장기간 보호 |
박리 시 정전기 방지 특징 |
내 화학성, 내산성 및 내염성 |
높은 범프 보호 기능 |
2. 다이싱 테이프 (Dicing Tape)
⑴ UV타입의 다이싱 테이프를 제공합니다.
- 다이 본딩 동안 픽업 특성을 높임
- UV조사시 접착성 감소시켜 잘 벗겨짐
⑵ 요청에 따라 사양을 변경하여 고객용으로 새 테이프 설계 가능합니다.
Main Features |
높은 수준의 균일한 확장성 |
칩핑 감소 (Reduces chipping) |
강한 접착성 |
수염 방지 |
고 내열성 |
Other Properties |
정전기 방기 특성 |
높은 투명도 |
고 신축 |
▶▶▶▶▶ 공 정 소 개 ◀◀◀◀◀
Wafer Dicing (DC)
Wafer Back Grinding (BG)
▶▶▶▶▶ 제 품 소 개 ◀◀◀◀◀
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◎ DX-TAD95C (높은 투명성 · 높은 확장성)
< 특 징 >
· 베이스 필름에 연질의 PVC가 적용되어 균등하고 유연하게 확장이 가능하며,
확장 후에도 쉽게 픽업 됩니다.
· 무색 투명함이 특징이며, 다이싱 후에 핍 후면 검사를 시행할 수 있습니다.
· 금속이 없는 한, 접착층과 베이스 필름 IC에 악영향을 주지 않습니다.
< 물리적 특성 (Silicon Wafer) >
항 목 |
단 위 |
참 조 |
외 형 |
- |
Colorless and transparent |
총 두 께 |
㎛ |
95 |
점 도 |
UV 처리 전 |
mN/25mm |
2,500 |
UV 처리 후 |
100 |
팽 창 계 수 |
MD 방향 |
%(N/10mm) |
280 |
CD 방향 |
300 |
* 점도 (JIS Z 0237 기준) : 박리 속도 300mm/min, 박리 각도 180°, Si 연마면 접착,
1시간 경과 후 UV 전, UV 후 점도 측정
* UV 조사 조건 : 집적 광도 300ml/cm², 파장 365nm, 광원 : 고압수은램프 권장
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◎ DX-TAP 165 (높은 접착력 - 칩핑 없음)
< 특 징 >
· 높은 접착성으로 기판 다이싱 패케이징에 완벽하게 적합
· 15㎛ 접착층으로 칩핑이 발생하지 않음
· 칩면에 파티클 오염이 거의 없음
< 물리적 특성 (Silicon Wafer) >
항 목 |
단 위 |
참 조 |
외 형 |
- |
Frosted and Semitransparent |
총 두 께 |
㎛ |
165 |
점 도 |
UV 처리 전 |
mN/25mm | 19000 |
UV 처리 후 |
180 |
팽 창 계 수 |
MD 방향 |
%(N/10mm) |
>500 (>23) |
CD 방향 |
>600 (>22) |
* 점도 (JIS Z 0237 따름) : 박리 속도 300mm/min, 박리 각도 180°,
Si 연마면 접착, 피착제에 도포 1시간 후 UV 전과 UV 후 점도 측정
* UV 조사 조건 : 집적 광도 300ml/cm², 파장 365nm, 광원 : 고압수은램프 권장
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◎ DX-LCP180LNX
< 특 징 >
· 고성능 백 그라인딩 압착 테이프
· 두께 정확도가 우수
· BG 처리에 적합
< 물리적 특성 (Silicon Wafer) >
특 징 |
단 위 |
참 조 |
외 형 |
- |
Blue and transparent |
총 두 께 |
㎛ |
180 |
점 도 |
mN/25mm |
1,400 |
팽 창 계 수 |
MD방향 |
%(N/10mm) |
> 600 (>20) |
CD방향 |
> 700 (>20) |
* 점도 (JIS Z 0237 따름) : 박리 속도 300mm/min, 박리 각도 180°,
Si 미러 측면. 피착제에 도포 1시간 후 UV 전과 UV 후 점도 측정
* UV 조사 조건 : 집적 광도 300ml/cm², 파장 365nm, 광원 : 고압수은램프 권장